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IRFBC30A	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30A	文件：155.85 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30A	文件：328.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFBC30A	文件：179.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30AL	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30APBF	文件：175.46 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30AS	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●Uninterrupt	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC30AS	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRLPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ASTRRPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30A_V01	文件：179.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30AL	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFBC30ALPBF	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFBC30A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRFBC30A	IR	24+	TO 220	161067	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFBC30A	IR	23+	TO-220	35890		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFBC30A	IR	05+	原廠原裝	38791	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFBC30A	IR	2015+	TO-220AB	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFBC30A	IR	24+	TO-220AB	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFBC30A	VISHAY	23+	TO220AB	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFBC30A	IR/FSC	1738+	TO-220	8529	科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!	詢價(jià)
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更多IRFBC30A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 19:10:00

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