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IRFBC40PBF

HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A)

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?

IRF

International Rectifier

IRFBC40PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFBC40PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC40PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBC40PBF-BE3

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFBC40PBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
23+
TO-220
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
22000
全新原裝正品 現(xiàn)貨庫(kù)存 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
24+
TO-220AB
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY
24+
TO-220
15000
全新原裝的現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO220AB
56000
詢價(jià)
VISHAY
21+
TO-220-3
14900
原裝正品 有掛有貨
 詢價(jià)
VISHAY
21+/22+
20900
TO-220-3
 詢價(jià)
VISHAY
22+
原廠封裝
15850
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系
 詢價(jià)
VISHAY
23+
TO-220-3
12900
原裝現(xiàn)貨支持送檢
 詢價(jià)
更多IRFBC40PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 17:24:00

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