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IRFD210中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFD210
廠商型號(hào)

IRFD210

功能描述

Power MOSFET

文件大小

843.37 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-9 15:34:00

IRFD210規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dV/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? For automatic insertion

? End stackable

? Fast switching

? Ease of paralleling

? Simple drive requirements

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up

to 1 W.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD210

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HAR
22+
SOT-3770&NBS
4500
全新原裝品牌專營
詢價(jià)
IR
19+
6500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IR
DIP-4
50000
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
詢價(jià)
IR
23+
65480
詢價(jià)
IR
24+
DIP-4
90000
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理
詢價(jià)
har
24+
N/A
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價(jià)
ir
24+
500000
行業(yè)低價(jià),代理渠道
詢價(jià)
IR
23+
QFP
3200
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
IR
2020+
DIP
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
IR
23+
DIP-4
1200
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)