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IRFI360	文件：210.18 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A) HEXFETTRANSISTOR REPETITIVEAVALANCHERATEDANDdv/dtRATED 400Volt,0.20OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI360	文件：214.2 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFI360_15	文件：214.2 Kbytes Page：8 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：514.669 Kbytes Page：7 Pages	400V,N-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：253.7 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM360	文件：372.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：55.31 Kbytes Page：7 Pages	23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP360	文件：164.15 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360	文件：50.32 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOSFET Features ?Fastswitchingtimes ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutingdv/dtrating Applications ?DCchoppers ?MotorControls ?Switch-modeandresonant-mode ?Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ?DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ?FastSwitching DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP360	文件：1.032369 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360LC	文件：343.84 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360LC	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360LC	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360LC	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP360LC	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP360LC	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Ultralowgatecharge ?Reducedgatedriverequirement ?Enhanced30VVGSrating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?Isolatedcentralmountinghole ?DynamicdV/dtrated ?Repetitiveavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRFI360
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 25A 3PIN TO-259AA - Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳誠思涵科技有限公司	IRFI360	IR	18+	TO-259A	85600	保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	IRFI360	CHINA	22+	TO-259AA	640	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價
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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFI360	IR	23+	TO-259AA	7000		詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRFI3615N	IR	17+	TO-220F	6200		詢價
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