IRFIBC30G中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRFIBC30G |
功能描述 | Power MOSFET |
文件大小 |
1.31819 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-6-27 22:59:00 |
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IRFIBC30G規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRFIBC30G
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13133 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
10000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
IR |
02+05+ |
TO-220F |
259 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
TO-220F |
68500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
IR |
2018+ |
TO220 |
6528 |
承若只做進(jìn)口原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO220 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) |