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IRFP044	文件：170.96 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP044N	文件：105.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044PBF	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044NPBF_15	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044PBF	文件：1.76262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044	文件：14.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044	文件：161.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFET PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：14.59 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044CM	文件：281.28 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=16A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16*ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044M	文件：15.59 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
LPC044CTP	文件：78.11 Kbytes Page：1 Pages	VERTICALCLIPLITE4MMLITEPIPE	VCC Visual Communications Company	VCC
MB044F	文件：970.13 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTBRIDGERECTIFIERS	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 廣東鉅興電子廣東鉅興電子科技有限公司	JUXING
MVCO044	文件：360.62 Kbytes Page：7 Pages	SMTVoltageControlledOscillator	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成電路河北博威集成電路有限公司	BOWEI
ODD-SXU-044	文件：175.12 Kbytes Page：2 Pages	Photodiode331mm2	OPTODIODE OptoDiode Corp	OPTODIODE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFP044
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 57 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRFP044供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 22:30:00

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