精品一区二区三区视频在线观看,人妖一级毛片在线观看

首頁 >IRFS9N60ATRLPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFS9N60ATRLPBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS9N60ATRLPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS9N60ATRR	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS9N60ATRRPBF	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS9N60ATRRPBFA	文件：223.37 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60A	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFETs FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFSL9N60APBF	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
MDF9N60	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60B	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60BTH	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDF9N60BTH	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：323.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP9N60	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：332.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDP9N60TH	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MTN9N60BFP	文件：461.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PHB9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

12 3 >>>

詳細參數(shù)

型號：
IRFS9N60ATRLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	Vishay Siliconix	24+	D2PAK(TO-263)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	VISHAY/威世	24+	TO263-3	5000	原廠授權(quán)代理價格絕對優(yōu)勢	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	VISHAY(威世)	23+	TO-263-3	8357	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	VISHAY	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	IR	23+	TO-263(D	7300	專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	VISHAY	24+	TO-263	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	NA	19+		75094	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	IR	22+23+	TO-263	28522	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	IR/VISH	24+		65230		詢價
深圳市拓億芯電子有限公司	IRFS9N60ATRLPBF	VISHAY/威世	23+	TO-263	30000	全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢	詢價

更多IRFS9N60ATRLPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-7 22:28:00

詳細參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存