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IRFSL59N10DPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFSL59N10DPBF
廠商型號(hào)

IRFSL59N10DPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

224.3 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-3 23:00:00

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IRFSL59N10DPBF規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)

● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Applications

● High frequency DC-DC converters

● UPS / Motor Control Inverters

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFSL59N10DPBF

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor

  • Polarity:

    N Channel, Continuous D

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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