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IRFZ48VPBF

Advanced Process Technology

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewell knownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFZ48VPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFZ48VPBF

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFZ48VPBF

Advanced Process Technology

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFZ48VPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFZ48VPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRFZ48VPBF供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 11:03:00

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