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IRG4BC30KDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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International Rectifier

IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V ?Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidest

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRF

International Rectifier

IRG4BC30S

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30KDS

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 600V 23A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
22+
TO-263
6000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
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23+
TO-263
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
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23+
TO-263
7000
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21+
TO-220
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
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2020+
TO-263
9600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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2020+
TO-263
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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Infineon Technologies
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D2PAK
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100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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D2PAK
2400
普通
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Infineon
1931+
N/A
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更多IRG4BC30KDS供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 9:02:00

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