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IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

Features ●UltraFast:Optimizedforhighoperatingupto 80kHzinhardswitching,>200kHzin resonantmode ●Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration ●IGBTco-packagedwithHEXFRED?ultrafast, ultra-s

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UDPBF

Package:TO-220-3 整包;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4IBC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4IBC10UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4IBC10UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    140μJ(開),120μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    40ns/87ns

  • 測試條件:

    480V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220AB 整包

  • 描述:

    IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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International Rectifier
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更多IRG4IBC10UDPBF供應商 更新時間2025-1-26 8:12:00