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IRG4IBC20UDPBF

2.5kV,60sinsulationvoltage

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?4.8mmcreapagedistancetoheatsink ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes ?Tighte

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4IBC20W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications ?2.5kV,60sinsulationvoltage ?Industry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconduction

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International Rectifier

IRG4IBC20WPBF

DesignedexpresslyforSwitch-ModePower

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International Rectifier

IRG4IBC20WPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4IBC20FD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，9A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），640μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    43ns/240ns

  • 測試條件：

    480V，9A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-FP

  • 描述：

    IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRG4IBC20FD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 19:10:00

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