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IRGIB7B60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGIB7B60KD |
| 參數(shù)屬性 | IRGIB7B60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 12A 39W TO220FP |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
435.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-10 17:39:00 |
| 人工找貨 | IRGIB7B60KD價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRGIB7B60KD規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
? 10μs Short Circuit Capability.
? Square RBSOA.
? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.
Benefits
? Benchmark Efficiency for Motor Control.
? Rugged Transient Performance.
? Low EMI.
? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGIB7B60KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：
160μJ（開），160μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/140ns
- 測(cè)試條件：
400V，8A，50 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB 整包
- 描述：
IGBT 600V 12A 39W TO220FP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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