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IRGS4B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

IRF

International Rectifier

IRGS4B60KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRGS4B60KPBF

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V D2PAK-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRGS4B60KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRGB4B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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IRGB4B60KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRGB4B60KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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IRGB4B60KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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IRGS4B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. ?Lead-Free. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerfor

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IRGS4B60K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransientPerformance. ?Low

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGS4B60KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，4A

  • 開關(guān)能量：

    73μJ（開），47μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    22ns/100ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V D2PAK-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
1503+
TO-263
3000
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Infineon
22+
NA
2118
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 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
D2PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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IR
22+
TO-263
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
IR
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IRGS4B60KPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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