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IXBH5N160G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBH5N160G
廠商型號

IXBH5N160G

參數(shù)屬性

IXBH5N160G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

功能描述

Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

45.54 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 15:30:00

IXBH5N160G規(guī)格書詳情

IXBH5N160G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBH5N160G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High Voltage BIMOSFET?

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features

? High Voltage BIMOSFETTM

- substitute for high voltage MOSFETs

with significantly lower voltage drop

- MOSFET compatible control

10 V turn on gate voltage

- fast switching for high frequency

operation

- reverse conduction capability

? industry standard package

- TO-220AB

- TO-247AD

epoxy meets UL94V-0

Applications

? switched mode power supplies

? DC-DC converters

? resonant converters

? lamp ballasts

? laser generators, x ray generators

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXBH5N160G

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    7.2V @ 15V,3A

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    960V,3A,47 歐姆,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
24+
TO-247
8866
詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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TO-247AD(IXBH)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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