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IXBX64N250

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?LowSwitchingLosses ?HighCurrentHandlingCapability ?Anti-ParallelDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptedPowerSupplies(UPS) ?CapacitorDisc

IXYS

IXYS Corporation

IXBX64N250

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-247-3 變式 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 2500V

IXYS

IXYS Corporation

IXBK64N250

MonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?LowSwitchingLosses ?HighCurrentHandlingCapability ?Anti-ParallelDiode Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptedPowerSupplies(UPS) ?CapacitorDisc

IXYS

IXYS Corporation

IXBL64N250

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTM

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXBX64N250

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,64A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    49ns/232ns

  • 測試條件:

    1250V,128A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 2500V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
詢價(jià)
Ixys
24+
原廠封裝
3187
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
26
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詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
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詢價(jià)
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
詢價(jià)
IXYS
23+
PLUS247?3
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價(jià)
更多IXBX64N250供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-9 15:00:00