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IXFP60N25X3M

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

IXFA60N25X3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFA60N25X3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXFP60N25X3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXFQ60N25X3

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

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更多IXFP60N25X3M供應商 更新時間2025-1-26 10:12:00