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IXSK30N60C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXSK30N60C參考圖片

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  • 廠家型號(hào)：

    IXSK30N60C

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    548

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3PL

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 15:26:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IXSK30N60C品牌：IXYS

IXSK30N60C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-3PL/TO-264-3，TO-264AA的IXSK30N60C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXSK30N60CD1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大小：

    72.89 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Short Circuit SOA Capability

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXSK30N60CD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/90ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，30A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264AA（IXSK）

  • 描述：

    IGBT 600V 55A 200W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市興燦科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周先生

  • 手機(jī)：

    15813871883

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23942131

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興路新欣大廈B座5樓585室

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