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IXSK35N120BD1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠(chǎng)料號(hào)：IXSK35N120BD1品牌：IXYS

IXSK35N120BD1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-264/TO-264-3，TO-264AA的IXSK35N120BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IXSK35N120BD1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IXYS詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    2 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    118.52 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HIGH VOLTAGE IGBT WITH DIODE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXSK35N120BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.6V @ 15V，35A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    5mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    36ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，35A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264AA（IXSK）

  • 描述：

    IGBT 1200V 70A 300W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云小姐/廖小姐

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

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