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IXSP10N60B2D1

High Speed IGBT with Diode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fastfalltimeforswitchingspee

IXYS

IXYS Corporation

IXSP10N60B2D1

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 20A 100W TO220AB

IXYS

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IXSA10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiode

VCES=600V IC25=20A VCE(sat)=2.5V Features ?Internationalstandardpackages ?GuaranteedShortCircuitSOAcapability ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?Fastfalltimeforswitchingspee

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IXYS Corporation

IXSH10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiodeShortCircuitSOACapability

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IXSQ10N60B2D1

HighSpeedIGBTwithDiodeShortCircuitSOACapability

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXSP10N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    430μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/180ns

  • 測試條件：

    480V，10A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220AB
151
詢價
IXYS
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS
23+
TO220AB
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
IXYS
23+
TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
23+
TO-220
7000
詢價
更多IXSP10N60B2D1供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 15:30:00

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