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IXSP20N60B2D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXSP20N60B2D1
廠商型號

IXSP20N60B2D1

參數(shù)屬性

IXSP20N60B2D1 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 35A 190W TO220

功能描述

High Speed IGBT
IGBT 600V 35A 190W TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

181.31 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-10 20:00:00

IXSP20N60B2D1規(guī)格書詳情

IXSP20N60B2D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXSP20N60B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXSP20N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,16A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/116ns

  • 測試條件:

    480V,16A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 190W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
IXYS
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
詢價
IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
IXYS/艾賽斯
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
ISOPLUS247
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
IXYS
24+
TO-220AB
13
詢價
IXYS
23+
TO-220
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價