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IXTA3N110

High Voltage Power MOSFETs

Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

3N110

NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

IXTP3N110

HighVoltagePowerMOSFETs

Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveloadSwitching(UIS) ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTA3N110

  • 功能描述：

    MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-263AA
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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更多IXTA3N110供應商 更新時間2025-1-25 14:14:00

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