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IXTY02N120P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTY02N120P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

IXYS

IXYS Corporation

SGB02N120

FastIGBTinNPT-technologyLowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.6V@IC=2A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SGD02N120

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology ?40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: ??-Motorcontrols ??-Inverter ??-SMPS ?NPT-Technologyoffers: ??-verytightparameterdistribution ??-highruggedness,temperaturestablebehavio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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SGI02N120

FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

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英飛凌英飛凌科技股份公司

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FastS-IGBTinNPT-technology

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGP02N120

IGBT

DESCRIPTION ·Fastswitching ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·Motorcontrols ·Inverter ·SMPS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IXTY02N120P

  • 功能描述：

    MOSFET 0.2Amps 1200V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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更多IXTY02N120P供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 10:12:00

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