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MTP2N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP2N60E

TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP2N60E

N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage?blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE?FETisdesignedtowithstandhi

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTP2N60E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP2N60E

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NDT2N60

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

NDT2N60P

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

NJ2N60

2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

FEATURES RDS(ON)@VGS=10V UltraLowgatecharge(typical9.0nC) Lowreversetransfercapacitance(CRSS=typical5.0pF) Fastswitchingcapability Avalancheenergyspecified Improveddv/dtcapability,highruggedness

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ2N60

2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ2N60A-LI

2.0A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    KF2N60F

  • 制造商：

    KEC

  • 制造商全稱：

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述：

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
KEC
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VBsemi
23+
TO220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
VB
21+
TO-220F
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
KEC
2022+
TO-220F
32500
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
K
23+
TO-220F
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
VBsemi
21+
TO220F
10026
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
KEC
24+
NA/
200
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
KEC
2022+
TO-220F
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價(jià)
K
25+
TO-TO-220F
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
KEC
24+
TO-220IS(1)
35400
KEC穩(wěn)定渠道,全系列在售
 詢價(jià)
更多KF2N60F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 11:00:00

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