MHT1108N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MHT1108N |
參數(shù)屬性 | MHT1108N 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
封裝外殼 | 16-VDFN 裸焊盤 |
文件大小 |
304.43 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-24 18:26:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MHT1108NT1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.45GHz
- 增益:
18.6dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
12.5W
- 封裝/外殼:
16-VDFN 裸焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
16-DFN(4x6)
- 描述:
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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