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MHT1108N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MHT1108N
廠商型號

MHT1108N

參數(shù)屬性

MHT1108N 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

封裝外殼

16-VDFN 裸焊盤

文件大小

304.43 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 18:26:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MHT1108NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.45GHz

  • 增益:

    18.6dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    12.5W

  • 封裝/外殼:

    16-VDFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-DFN(4x6)

  • 描述:

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO

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