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MJD112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MJD112
廠商型號(hào)

MJD112

參數(shù)屬性

MJD112 封裝/外殼為T(mén)O-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

299.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-21 13:48:00

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MJD112規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? High DC current gain

? Lead formed for surface mount applications(NO suffix)

? Straight lead(IPAK,“ -I” suffix)

? Built-in a damper diode at E-C

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJD112-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
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只做原裝,歡迎詢價(jià),量大價(jià)優(yōu)
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