MS1226分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS1226 |
| 參數(shù)屬性 | MS1226 封裝/外殼為M113；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M113 |
| 文件大小 |
454.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 18:26:00 |
MS1226規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -28 dB
POUT = 30 WATTS
GP = 18 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MS1226
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
36V
- 頻率 - 躍遷：
30MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
4.5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M113
- 供應(yīng)商器件封裝：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Maximum(邁思希姆) |
23+ |
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6000 |
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詢價 | ||
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MSC |
24+ |
SMD |
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Microsemi Corporation |
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M113 |
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