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MS1226

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features ?30MHz ?28VOLTS ?IMD=-28dB ?POUT=30WATTS ?GP=18dBMINIMUM ?COMMONE

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MS1226

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION: TheMS1226isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. Features 30MHz 28VOLTS IMD=-28dB POUT=30WATTS GP=18dBMINIMUM CO

ADPOW

Advanced Power Technology

MS1226

Package:M113;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

PB-1226PEAQ

SalesOutlineDrawing

MSPIMallory Sonalert Products Inc

馬洛里馬洛里索納特產(chǎn)品有限公司

RN1226

TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ?Highcurrenttype(IC(MAX)=800mA) ?Withbuilt-inbiasresistors. ?Simplifycircuitdesign ?Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ?LowVCE(sat) ?ComplementarytoRN2221~2227

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RN1226

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

RTI-1226

LowCost,STDBusCompatibleAnalogI/OSubsystems

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

S1226

SIPHOTODIODE

Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

S1226

SiphotodiodeForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity

Siphotodiode ForUVtovisible,precisionphotometry;suppressedIRsensitivity Features ●HighUVsensitivity:QE75(λ=200nm) ●SuppressedIRsensitivity ●Lowdarkcurrent ●Highreliability Applications ●Analyticalequipment ●Opticalmeasurementequipment,etc.

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學(xué)株式會(huì)社

SW1226

GeneralBattery

SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd.

三威電源深圳市三威電源科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MS1226

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    36V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 500mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    4.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M113

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M113

  • 描述:

    RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MICROSE
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Microsemi Corporation
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多MS1226供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 17:37:00