MS1226分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS1226 |
| 參數(shù)屬性 | MS1226 封裝/外殼為M113；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M113 |
| 文件大小 |
61.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 18:26:00 |
MS1226規(guī)格書詳情
MS1226屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MS1226晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
Features
? 30 MHz
? 28 VOLTS
? IMD = -28 dB
? POUT = 30 WATTS
? GP = 18 dB MINIMUM
? COMMON EMITTER CONFIGURATION
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MS1226
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
36V
- 頻率 - 躍遷：
30MHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 500mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
4.5A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M113
- 供應(yīng)商器件封裝：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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