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PBSS4350

NPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration ?ReplacementforSOT89/SOT223standar

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350

50VlowVCEsatNPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES ?Highpowerdissipation(830mW) ?Ultralowcollector-emittersaturationvoltage ?3Acontinuouscurrent ?Highcurrentswitching ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350D

50VlowVCEsatNPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheat generation ?ReplacementforSOT89/SOT223standardpackage

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS4350D

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350D

NPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration ?ReplacementforSOT89/SOT223standar

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350D

50VlowVCEsatNPNtransistor

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration ?ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS ?Supplylineswitchingcircuits ?Batterymanagement

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350PAS

50V,3ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS 2.Featuresandbenefits ?DFN2020D-3(SOT1061D)package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabili

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350PAS-Q

50V,3ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS-Q 2.Featuresandbenefits ?DFN2020D-3(SOT1061D)package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabi

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350S

50VlowVCEsatNPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES ?Highpowerdissipation(830mW) ?Ultralowcollector-emittersaturationvoltage ?3Acontinuouscurrent ?Highcurrentswitching ?Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350SPN

50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNP/PNPdoublelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentgain

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MSSA4350G

  • 制造商：

    TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

  • 類別：

    開關(guān) > 滑動(dòng)開關(guān)

  • 系列：

    MSSA

  • 包裝：

    管件

  • 電路：

    4P3T

  • 接觸定時(shí)：

    短路（MBB）

  • 開關(guān)功能：

    開-開-開

  • 額定電流（安培）：

    0.4VA（AC/DC）

  • 致動(dòng)器類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 致動(dòng)器長(zhǎng)度：

    10.41mm

  • 觸頭材料：

    銅合金

  • 觸頭表面處理：

    鍍金

  • 安裝類型：

    通孔

  • 端接樣式：

    PC 引腳

  • 特性：

    環(huán)氧樹脂密封端子

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 85°C

  • 描述：

    SWITCH SLIDE 4P3T 0.4VA 20V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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專注Panasonic品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
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更多MSSA4350G供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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