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PBSS4350SPN

50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350SPN

50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350SS

50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription PNP/PNPdoublelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentgain

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS4350SS

50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350SS

50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PBSS4350T

50V;3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat ?Highcollectorcurrentcapability ?Highcollectorcurrentgain ?Improvedefficiencyduetoreducedheatgene

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350T

50V;3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350T. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat ?Highcollectorcurrentcapability ?Highcollectorcurrentgain ?Improvedefficiencyduetoreducedheatgene

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PBSS4350T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS4350T

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

PBSS4350T

50V;3ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350T 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat ?Highcollectorcurrentcapability

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MSSA4350G

  • 制造商：

    TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

  • 類別：

    開(kāi)關(guān) > 滑動(dòng)開(kāi)關(guān)

  • 系列：

    MSSA

  • 包裝：

    管件

  • 電路：

    4P3T

  • 接觸定時(shí)：

    短路（MBB）

  • 開(kāi)關(guān)功能：

    開(kāi)-開(kāi)-開(kāi)

  • 額定電流（安培）：

    0.4VA（AC/DC）

  • 致動(dòng)器類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 致動(dòng)器長(zhǎng)度：

    10.41mm

  • 觸頭材料：

    銅合金

  • 觸頭表面處理：

    鍍金

  • 安裝類型：

    通孔

  • 端接樣式：

    PC 引腳

  • 特性：

    環(huán)氧樹脂密封端子

  • 工作溫度：

    -20°C ~ 85°C

  • 描述：

    SWITCH SLIDE 4P3T 0.4VA 20V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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專注Panasonic品牌原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
 詢價(jià)
更多MSSA4350G供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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