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MTP4N80E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP4N80E

TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHM

TMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP4N80E

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTW4N80

TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW4N80E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW4N80E

TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NJ4N80

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80A-LI

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80-BL

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ4N80D-LI

4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MTP4N80E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-18 19:10:00

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