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PNM3FD201E0

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features| VDS=20V| .RDS(ON)=300ma(typ)@VGS=25V .RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V ?ESDProtectedupto2KV|

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

RV2C010UN

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VDS=20V +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5V +ESDProtectedupto2KV

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臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

SI3134KLA-TP

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

SSM3K35CTC

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

TPWNM2072-3SLASHTR

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

WNM2046

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

WNM2096

Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV.

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