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NAND01GW3B2AN6集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NAND01GW3B2AN6 |
| 參數(shù)屬性 | NAND01GW3B2AN6 封裝/外殼為48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
| 功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| 封裝外殼 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） |
| 文件大小 |
631.49 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
64 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-11 23:00:00 |
| 人工找貨 | NAND01GW3B2AN6價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多NAND01GW3B2AN6規(guī)格書詳情
NAND01GW3B2AN6屬于集成電路（IC）的存儲器。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的NAND01GW3B2AN6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NAND01GW3B2AN6F
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存 - NAND
- 存儲容量：
1Gb（128M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
30ns
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TSOP
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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