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NCV8402ADDR2G_NKGLBDT/南科功率半導體_MOSFET 42V 2.0A南科功率半導
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NCV8402ADDR2G
- 功能描述:
MOSFET 42V 2.0A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市南科功率半導體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
柯經(jīng)理
- 手機:
18529599598
- 詢價:
- 電話:
0755-82550454
- 傳真:
0755-82550454
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北新華強H4C003
相近型號
- NCV8401DTRKG
- NCV8402ASTT1G
- NCV8401BDTRKG
- NCV8402ASTT1G/T3G
- NCV8401B
- NCV8402ASTT1GIC
- NCV8401AG
- NCV8402ASTT3G
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- NCV8402ASTT3GIC
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