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NE856M02-T1-AZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
NE856M02-T1-AZ |
參數(shù)屬性 | NE856M02-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 |
功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
封裝外殼 | TO-243AA |
文件大小 |
206.93 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-9 10:16:00 |
NE856M02-T1-AZ規(guī)格書詳情
NE856M02-T1-AZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE856M02-T1-AZ晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NE856M02-T1-AZ
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
6.5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1.1dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
1.2W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 20mA,10V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-89
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
SOT-523 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
PHILIPS |
22+ |
SOP |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
75000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
SIG |
24+ |
PLCC-84 |
4 |
詢價(jià) | |||
NEC |
23+ |
SOT-523 |
50000 |
原裝正品 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
SOP8 |
26690 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
PHI |
20+ |
SOP |
2960 |
誠信交易大量庫存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
CEL |
24+ |
原廠原裝 |
4000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |