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NESG2101M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NESG2101M16-A |
| 功能描述 | NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR |
| 文件大小 |
352.04 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-4-8 20:16:00 |
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NESG2101M16-A規(guī)格書詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (125 mW)
6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, highgain
amplification
PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, IC (set) = 10 mA (RF OFF), f = 2 GHz
NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NESG2101M16-A
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
0826+ |
6-PIN |
9507 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
9507 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
1208 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
CEL |
20+ |
SOT-523 |
36800 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
CEL |
SOT-523 |
15000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
CEL |
2025+ |
SOT-523 |
7695 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
1208 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CEL |
24+ |
原廠原裝 |
5000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 |
