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NESG270034-T1-AZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NESG270034-T1-AZ |
| 參數(shù)屬性 | NESG270034-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) |
| 封裝外殼 | TO-243AA |
| 文件大小 |
349.47 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-5 23:00:00 |
NESG270034-T1-AZ規(guī)格書詳情
NESG270034-T1-AZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NESG270034-T1-AZ晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NESG270034-T1-AZ
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
9.2V
- 功率 - 最大值：
1.9W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，3V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
750mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
3-PowerMiniMold
- 描述：
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
928 |
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RENESAS/瑞薩 |
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RENESAS |
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SOT-89 |
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RENESAS/瑞薩 |
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23+ |
原廠封裝 |
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CEL |
23+ |
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NEC |
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NEC |
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SOT89 |
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NEC |
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