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NESG270034-T1-AZ

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(2W) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(2W)amplification Pout=33.5dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=460MHz Pout=31.5dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=9

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG270034-T1-AZ

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

CEL

California Eastern Labs

NESG270034-T1-AZ

Package：TO-243AA；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

CEL

California Eastern Labs

NESG270034-T1

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(2W) 3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG) FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(2W)amplification Pout=33.5dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=460MHz Pout=31.5dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=9

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG270034-T1

NPNSiGeRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(2W)3-PINPOWERMINIMOLD(34PKG)

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NESG270034-T1-AZ

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    9.2V

  • 功率 - 最大值：

    1.9W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 100mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    750mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-PowerMiniMold

  • 描述：

    TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
23+
SOT89
1565
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
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SOT-89
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原裝優(yōu)勢絕對有貨
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
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原裝進(jìn)口中國百強元器件分銷企業(yè) 專注RENESAS十年 公司大量RENESAS現(xiàn)貨 歡迎您的咨詢 百年不變 服務(wù)至上
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SOT89
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原裝現(xiàn)貨價格有優(yōu)勢量大可以發(fā)貨
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理QQ1304306553
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更多NESG270034-T1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 9:02:00

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