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NSS12100UW3TCG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):NSS12100UW3TCG品牌:ON
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
NSS12100UW3TCG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝WDFN3/3-WDFN 裸露焊盤的NSS12100UW3TCG晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NSS12100UW3TCG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
440mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
3-WDFN(2x2)
- 描述:
TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
供應(yīng)商
相近型號(hào)
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- NSS085N100P5
- NSS085N100C
- NSS06AOXZ
- NSS12200L
- NSS045N100C
- NSS12200LT1
- NSS040N
- NSS12200LT1G
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- NSS12200LT1GIC
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