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NTBL060N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44mohm, 650V, M2, TOLL

Features ?Typ.RDS(on)=44m@VGS=18V Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=74nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=133pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?RoHSCompliant TypicalApplications ?SMPS(SwitchingModePowerSuppl

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NTBG060N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-44mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=44m@VGS=18VTyp.RDS(on)=60m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=74nC) ?LowOutputCapacitance(Coss=133pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?RoHSCompliant TypicalApplications ?SMPS(SwitchingModePowerSupplies) ?SolarInve

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NTHL060N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–44mohm,650V,M2,TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=44m@VGS=18V Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=74nC) ?LowOutputCapacitance(Coss=133pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondle

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NVBG060N065SC1

SiliconCarbide(SiC)MOSFET-44mohm,650V,M2,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=44m@VGS=18V Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=74nC) ?LowOutputCapacitance(Coss=133pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?RoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoardChar

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更多NTBL060N065SC1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-8 14:01:00

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