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NTH4L020N120SC1_V02中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NTH4L020N120SC1_V02 |
| 功能描述 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L |
| 文件大小 |
362.96 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-9 10:08:00 |
| 人工找貨 | NTH4L020N120SC1_V02價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NTH4L020N120SC1_V02規(guī)格書詳情
Features
? Typ. RDS(on) = 20 m
? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)
? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)
? 100 Avalanche Tested
? TJ = 175°C
? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb?Free 2LI (on second level interconnection)
Typical Applications
? UPS
? DC-DC Converter
? Boost Inverter
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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