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NTH4L025N065SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NTH4L025N065SC1
廠商型號(hào)

NTH4L025N065SC1
功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
文件大小

322.74 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-22 9:30:00
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NTH4L025N065SC1規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC)

? Low Capacitance (Coss = 278 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Power Supplies)

? Energy Storages

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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