NXH40B120MNQ0SNG 分立半導體產品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
NXH40B120MNQ0SNG
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
生產廠商：
ON
庫存數量：
100000
產品封裝：
生產批號：
23+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2024-11-28 16:20:00

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原廠料號：NXH40B120MNQ0SNG品牌：ON

全新原裝

NXH40B120MNQ0SNG是分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ON/onsemi生產封裝模塊的NXH40B120MNQ0SNG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋；升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

芯片型號：
NXH40B120MNQ0SNG
規(guī)格書：
下載
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
13 頁
文件大?。?/span>
645.25 kb
資料說明：
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NXH40B120MNQ0SNG
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
包裝：
托盤
配置：
雙路升壓斬波器
輸入：
標準
NTC 熱敏電阻：
是
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
模塊
供應商器件封裝：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
描述：
80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF

供應商

企業(yè)：
深圳市宇爍芯半導體科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
盧鐘強
手機：
18823463809
詢價：
電話：
18823463809
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振華路175號東門航苑大廈西座1106

NXH40B120MNQ0SNG 分立半導體產品晶體管 - IGBT - 模塊 ONSEMI/安森美半導體

NXH40B120MNQ0SNG

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