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PMDPB42UN_恩XP_20 V, dual N-channel Trench MOSFET佳杰偉業(yè)

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  • 廠家型號(hào)：

    PMDPB42UN

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    恩XP

  • 庫存數(shù)量：

    33450

  • 產(chǎn)品封裝：

    DFN20206

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2406+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-5-17 16:47:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：PMDPB42UN品牌：恩XP

優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨

  • 芯片型號(hào)：

    PMDPB42UN

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱：

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱：

    安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    16 頁

  • 文件大?。?/span>

    1073.09 kb

  • 資料說明：

    20 V, dual N-channel Trench MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    ：PMDPB42UN

  • FET 功能

    ：邏輯電平門

  • 漏源電壓（Vdss）

    ：20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）

    ：3.9A

  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    ：50 毫歐 @ 3.9A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）

    ：1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）

    ：3.5nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）

    ：185pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    ：510mW

  • 工作溫度

    ：-55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型

    ：表面貼裝

  • 封裝/外殼

    ：6-UDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝

    ：DFN2020-6

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市佳杰偉業(yè)科技有限公司

  • 商鋪：

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  • 聯(lián)系人：

    張小姐/張先生

  • 手機(jī)：

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    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路2008號(hào)華聯(lián)發(fā)綜合樓818

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