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PMDPB85UPE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PMDPB85UPE
廠商型號(hào)

PMDPB85UPE

功能描述

20 V dual P-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

2C

封裝外殼

SOT1118

文件大小

1.47554 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-8 11:01:00

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PMDPB85UPE規(guī)格書詳情

1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

? Low threshold voltage

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

? 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? High-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
2447
SOT1118
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
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Nexperia/安世
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SOT1118
60000
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NEXPERIA/安世
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SOT1118
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原裝正品
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NEXPERIA/安世
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DFN2020-6
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交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
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NEXPERIA/安世
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原裝正品 可含稅交易
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