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PMDPB95XNE2_NEXPERIA/安世_30 V, dual N-channel Trench MOSFET盈慧通商城

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  • 廠家型號(hào):

    PMDPB95XNE2

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    NEXPERIA/安世

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    360000

  • 產(chǎn)品封裝:

    DFN2020-6

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2511

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-7-30 12:00:00

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原廠料號(hào):PMDPB95XNE2品牌:NEXPERIA/安世

電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)

  • 芯片型號(hào):

    PMDPB95XNE2

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    NEXPERIA【安世】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Nexperia B.V. All rights reserved

  • 中文名稱(chēng):

    安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    727.31 kb

  • 資料說(shuō)明:

    30 V, dual N-channel Trench MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    :PMDPB95XNE2

  • Package name

    :DFN2020-6

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :2

  • VDS [max] (V)

    :30

  • VGS [max] (V)

    :12

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :99

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)

    :117

  • integrated gate-source ESD protection diodes

    :Y

  • VESD HBM (V)

    :2000

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • ID [max] (A)

    :3

  • QGD [typ] (nC)

    :0.8

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)

    :2.9

  • Ptot [max] (W)

    :0.51

  • VGSth [typ] (V)

    :1

  • Automotive qualified

    :N

  • Ciss [typ] (pF)

    :258

  • Coss [typ] (pF)

    :31.000002

  • Release date

    :2016-04-19

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市盈慧通電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    林小姐

  • 手機(jī):

    13530883133

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    13530883133

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座28層2801