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PTFB211501F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFB211501F
廠商型號

PTFB211501F
參數(shù)屬性

PTFB211501F 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2
封裝外殼

2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭
文件大小

351.15 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-19 11:00:00

PTFB211501F規(guī)格書詳情

PTFB211501F屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211501F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PTFB211501FV1R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.17GHz

  • 增益：

    18dB

  • 功率 - 輸出：

    40W

  • 封裝/外殼：

    2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭

  • 供應商器件封裝：

    H-37248-2

  • 描述：

    FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2

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