RFP4N100中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RFP4N100 |
| 功能描述 | 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs |
| 文件大小 |
101.12 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-25 11:18:00 |
RFP4N100規(guī)格書詳情
The RFP4N100 and RFP4N100SM are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from an integrated circuit.
Features
? 4.3A, 1000V
? rDS(ON) = 3.500Q
? UIS Rating Curve (Single Pulse)
? -55°C to 150°C Operating Temperature
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
RFP4N100
- 功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
哈里斯 |
19+20+ |
TO220 |
10095 |
全新原裝房間現(xiàn)貨 可長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
哈里斯 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL/FSC |
23+ |
TO-220 |
28610 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
TO-220 |
893993 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
哈里斯 |
05+ |
TO-220 |
3000 |
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) | ||
HAR |
24+ |
N/A |
2900 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
2022+ |
to-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
哈里斯 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) |
