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RMLV0816BGBG-4S2集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
RMLV0816BGBG-4S2 |
| 參數(shù)屬性 | RMLV0816BGBG-4S2 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
| 功能描述 | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) |
| 封裝外殼 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
340.54 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-14 14:50:00 |
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RMLV0816BGBG-4S2規(guī)格書(shū)詳情
Description
The RMLV0816BGBG is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s
high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGBG has realized higher density, higher
performance and low power consumption. The RMLV0816BGBG offers low power standby power dissipation;
therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 48-ball fine pitch ball grid array.
Features
? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V
? Access time:
── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)
── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)
? Current consumption:
── Standby: 0.45μA (typ.)
? Equal access and cycle times
? Common data input and output
── Three state output
? Directly TTL compatible
── All inputs and outputs
? Battery backup operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
RMLV0816BGBG-4S2#KC0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM
- 存儲(chǔ)容量：
8Mb（512K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
45ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（7.5x8.5）
- 描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
TFBGA-48(7.5x8.5) |
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